ReRAM開始進入市場
2017-10-11 14:35:05
電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）是一種還在開發階段的下一代內存技術。在飽受了多年的磨難之后，這項技術終于開始在市場受到歡迎了。
富士通和松下正在聯合加大研發力度，投入開發第二代 ReRAM 器件。另外，Crossbar 正在嘗試生產一種 40nm ReRAM 技術，現在是由中國的中芯國際（SMIC）的晶圓廠代工生產。臺積電（TSMC）和聯電（UMC）也毫不示弱，最近也已經將 ReRAM 納入了自己的發展計劃中來，預計將在明年的時候為自己的客戶開發這項技術。
多年以來，人們一直在吹噓 ReRAM，說它是 NAND 等傳統內存技術的替代者，但 ReRAM 的開發難度大到難以想象。并且，NAND 也比之前所預測的發展得更長久，以至于很多公司暫緩甚至放棄了ReRAM的 開發。
然而并不是所有芯片制造商都支持 ReRAM。GlobalFoundries 等一些公司對 ReRAM 技術就沒有那么熱衷，反而正在開發不同類型的下一代內存技術。
與閃存相比，ReRAM 的優勢是讀取延遲更低且寫入速度更快。在傳統內存中，數據以電荷的形式存儲。在 ReRAM 中，會有一個電壓被應用于一種堆疊的材料，繼而導致電阻變化，這種變化可以在內存中記錄數據（0 和 1）。
盡管ReRAM具備不少優良屬性，但目前為止出貨 ReRAM 的公司只有幾家。其它公司還在克服困難、迎難而上，因為 ReRAM 技術在物理方面十分困難。而且在一些案例中，ReRAM 的性能和可靠性也沒有達到人們的期待值。
ReRAM 不會取代 NAND 或其它內存，但它會找到合適的定位，尤其是在嵌入式內存應用領域。聯電嵌入式非易失性內存助理副總裁 Yau Kae Sheu 說：“ReRAM 是一種針對成本敏感型應用的解決方案，比如可穿戴和物聯網設備。ReRAM 很適合一些低端的 MCU 和內存密度要求更低的消費級產品。”
但對于未來應用，ReRAM 等一些下一代內存技術的目標是所謂的存儲級內存（storage-class memory）市場。多年以來，內存行業一直在尋找一種新的內存類型，即存儲級內存。這種內存可以用在系統的主內存（DRAM）和儲存器（NAND 閃存）之間，填充這兩者之間逐漸變大的延遲差距。
ReRAM 的另一個潛在應用是神經形態計算（neuromorphic computing）。神經形態計算使用了腦啟發的計算功能，可用于實現人工智能和機器學習。但是，在 ReRAM 進軍這些市場之前，內存行業必須要先小規模地掌控 ReRAM。
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